Description
Date depot: 1 janvier 1900
Titre: Ultra Low Voltage UT2B FDSOI SRAM circuits
Directeur de thèse:
Amara AMARA (Non relevant)
Directeur de thèse:
Andrei VLADIMIRESCU (University of California, Berkeley)
Domaine scientifique: Sciences et technologies de l'information et de la communication
Thématique CNRS : Non defini
Resumé:
Ce travail de recherche commun entre le LETI et l’ISEP s’inscrit dans la continuité des projets sur les technologies SOI basses consommations (PDSOI et DGMOS) qui se sont achevés avec succès.
L'objectif général de la thèse est d’explorer des pistes et de développer des concepts circuits permettant d’optimiser la puissance consommée et les performances des circuits mémoires de type SRAM. Les concepts proposés seront développés en technologies FDSOI à BOX épais et mince (UT2B), technologie nouvelle en cours de développement au LETI. L’un des avantages de la technologie UT2B-FDSOI est de pouvoir réaliser des transistors Multi Tensions de Seuil (Multi-VT) sans dégrader les gains intrinsèques de la technologie notamment en terme de dispersion de la tension de seuil (VT). Le VT des dispositifs est lié au type de dopage et à la polarisation appliquée localement sous le BOX. Nous étudierons l’applicabilité et l’efficacité du Multi-VT dans un circuit SRAM de même que l’impact de cette technologie sur les problématiques de variabilité du procédé. La thèse doit se terminer par une réalisation suivie de test et mesures pour valider les concepts.
La thèse se déroulera en grande partie à l’ISEP mais des séjours réguliers sont prévus au LETI.
Doctorant.e: Makosiej Adam